ულტრა მაღალი სიწმინდის სილიციუმის კარბიდის ბაზრის ზრდა და ტენდენციები

ნიუ-იორკი, 2020 წლის 23 დეკემბერი (GLOBE NEWSWIRE) - Reportlinker.com აცხადებს მოხსენების გამოქვეყნებას ”ულტრა მაღალი სიწმინდის სილიციუმის კარბიდის ბაზრის ზომა, წილისა და ტენდენციების ანალიზის ანგარიში განაცხადის მიხედვით, რეგიონისა და სეგმენტის პროგნოზების მიხედვით, 2020 - 2027 ″

გლობალური მაღალი სიწმინდის სილიციუმის კარბიდის ბაზრის ზომა, სავარაუდოდ, 2027 წლისთვის 79.0 მილიონ აშშ დოლარს მიაღწევს. მისი გაფართოება CAGR– ით 14,8% –ით იქნება 2020 – დან 2027 წლამდე. ელექტროენერგიის მზარდი შევსება და განახლებადი ენერგიის სექტორის ზრდაა. დაპროექტებულია, რომ უზრუნველყოს ბაზრის მოვაჭრეების ზრდის შესაძლებლობები.

ელექტროენერგიის წყაროები და ფოტოვოლტალური ინვერტორები სილიციუმის კარბიდის (SiC) ნახევარგამტარების გამოყენების მნიშვნელოვან სფეროებს შორისაა. გარდა ამისა, SiC ენერგიის ელექტრონიკა მიიღება ელექტრომობილების დამუხტვის პროდუქტებში, ქარის ენერგიის ინფრასტრუქტურასა და სამრეწველო ძრავებში.

ამრიგად, ელექტრომობილებზე მოთხოვნა ხელს შეუწყობს ულტრა მაღალი სისუფთავის სილიციუმის კარბიდის ნახევარგამტარების ზრდას. სავარაუდოდ, ენერგიის განახლებადი წყაროების მზარდი გამოყენება მთელს მსოფლიოში ელექტროენერგიის წარმოებისათვის ხელს შეუწყობს SiC ენერგიის ნახევარგამტარების ბაზარს.

ასევე მოსალოდნელია განვითარებადი ტექნოლოგიების განვითარება, როგორიცაა კვანტური გამოთვლა, ხელოვნური ინტელექტი და 5G ტექნოლოგია, ასევე ახალი შესაძლებლობების შექმნას ბაზრის გამყიდველებისთვის. ამ ტექნოლოგიების მზარდი შეღწევადობა, განსაკუთრებით აშშ – ში, შესაძლოა დარჩეს ბაზრის ზრდის ძირითადი ფაქტორი. აშშ-ს კომპანიებმა დიდი თანხები ჩადეს ამ ტექნოლოგიებში, რითაც დადებითად აისახება ნახევარგამტარების განვითარებაზე, რომლებიც საჭიროა ხელოვნური ინტელექტის, სუპერკომპიუტერებისა და მონაცემთა ცენტრებისთვის. მაგალითად, 1999 წლიდან 2019 წლამდე R&D ინვესტიციები აშშ – ს ნახევარგამტარული ინდუსტრიაში CAGR– ით გაიზარდა 6,6% –ით. აშშ – ში R&D ინვესტიციებმა 2019 წლისთვის 39,8 მილიარდი აშშ დოლარი შეადგინა, რაც მისი გაყიდვების დაახლოებით 17% იყო, რაც ყველაზე მაღალია ქვეყნები.

სინათლის დიოდებზე (LED- ებზე) მზარდი მოთხოვნა კიდევ ერთი ძირითადი ფაქტორია, რომელიც შემდეგი წლების განმავლობაში საწვავის ბაზრის ზრდისთვისაა გათვალისწინებული. ულტრამაღალი სისუფთავის სილიციუმის კარბიდი გამოიყენება LED- ების მინარევების მოსაშორებლად.

LED განათების ბაზარზე მოსალოდნელია ზრდის დონის დაფიქსირება 13.4% –ით 2020 – დან 2027 წლამდე ფასების შემცირების, განათების ტექნოლოგიებთან დაკავშირებული მკაცრი რეგულაციების და სხვადასხვა მთავრობების მიერ მდგრადი განვითარების მიმართულებით გატარებული მცდელობის გამო.

სამხრეთ კორეის კომპანიები მონაწილეობენ სილიციუმის კარბიდის ტექნოლოგიის შემუშავებაში, რომელიც, სავარაუდოდ, გრძელვადიან პერსპექტივაში რჩება მთავარ მამოძრავებელ ფაქტორად. მაგალითად, POSCO– მ, მსოფლიოში ფოლადის ერთ – ერთმა წამყვანმა მწარმოებელმა, 10 წლის ინვესტიცია განახორციელა SiC ერთკრისტალური.

ამ პროექტში POSCO მუშაობს 150 მმ და 100 მმ SiC სუბსტრატის ტექნოლოგიის შემუშავებაზე, რომელიც კომერციალიზაციასთან ახლოს არის. კიდევ ერთი მწარმოებელი SK Corporation (SKC) სავარაუდოდ მოახდენს 150 მმ SiC ვაფლის კომერციალიზაციას.

ულტრა მაღალი სიწმინდის სილიციუმის კარბიდის ბაზრის ანგარიშის მაჩვენებლები
• შემოსავლისა და მოცულობის თვალსაზრისით, ნახევარგამტარული იყო ყველაზე დიდი პროგრამის სეგმენტი 2019 წელს. სეგმენტის ზრდა გამოწვეულია საშუალო კლასის მოსახლეობის მზარდი მოთხოვნებით და, შესაბამისად, ელექტრონიკაზე არაპირდაპირი მოთხოვნილებით.
• განაცხადის მიხედვით, LED– ები გაფართოვდება უსწრაფეს CAGR– ში, 15,6% –ით, 2020 – დან 2027 წლამდე შემოსავლის მხრივ. გლობალური დათბობის შესახებ ინფორმირებულობის გაზრდამ დადებითად აისახა LED– ებზე მოთხოვნაზე მათი ენერგოეფექტურობის გამო
• COVID-19 პანდემიამ სერიოზული გავლენა მოახდინა ულტრა-მაღალი სისუფთავის სილიციუმის კარბიდის (UHPSiC) საბოლოო გამოყენების მრეწველობებზე. მოცულობის მხრივ, 2019 წლიდან დადგენილია, რომ მოთხოვნა UHPSiC– ზე თითქმის 10% –ით შემცირდება
• აზიისა და წყნარი ოკეანის რეგიონის უდიდესი ბაზარი იყო და მისი წილი 48.0% იყო 2019 წელს. ჩინეთში, სამხრეთ კორეასა და ტაივანში ელექტრონიკისა და LED– ების მაღალი მოცულობის წარმოება ზრდის ძირითადი ფაქტორია რეგიონალური ბაზრისთვის